Thursday, 06 August, 2026г.
russian english deutsch french spanish portuguese czech greek georgian chinese japanese korean indonesian turkish thai uzbek

пример: покупка автомобиля в Запорожье

 

Драйвер для MOSFET и IGBT | Принцип выбора и расчет | Часть 1

Драйвер для MOSFET и IGBT | Принцип выбора и расчет | Часть 1У вашего броузера проблема в совместимости с HTML5

Рассмотрено назначение и особенности применения драйвера для транзисторов MOSFET и IGBT. В первой части вкратце рассмотрено принцип работы транзисторного ключа, управляемого широтно-импульсной модуляцией ШИМ. Показаны отличия идеального транзистора от реального и причины возникновения потерь мощности при включении и отключении, как MOSFET и IGBT транзисторов. Основные потери мощности в транзисторах возникаю при открывании и закрывании. Чем выше частота коммутации полупроводникового прибора, тем выше потери, сильнее нагрев и ниже коэффициент полезного действия схемы. Также мощность выделяется и в открытом состоянии ключа, вследствие наличия падения напряжения. С ростом мощности MOSFT и IGBT увеличивается падение напряжения в открытом состоянии и тем больше потери мощности.


#MOSFET #IGBT #драйвер #electronicsclub

Мой аккаунт